目前，業(yè)界正在開發(fā)一種新型的存儲芯片，即名為ReRAM的電阻式存儲器。這種存儲芯片不僅具有DRAM級別的讀寫速度，而且可以像NAND閃存一樣斷電后存儲數(shù)據(jù)，可以說是集二者之長。現(xiàn)在，ReRAM芯片的開發(fā)已經(jīng)初見成效。近日，索尼和美光聯(lián)合公布最新研究成果，稱其試制產(chǎn)品的性能與理論數(shù)據(jù)非常接近。

索尼美光聯(lián)合宣布的是一款16Gb(2GB)的ReRAM芯片，據(jù)說是基于27nm CMOS技術(shù)，可以用來替代現(xiàn)有的DDR SDRAM芯片，可以用在移動設(shè)備或者PC上。從公布的信息來看，這款芯片的實際性能為<愛尬聊_百科全書>讀取900MB/s、寫入180MB/s，非常接近其讀取1000MB/s、寫入200MB/s的理論性能，具有很高的量產(chǎn)和商業(yè)化可能性。

另外，從兩家公司公布的成品來看，這款ReRAM芯片應(yīng)該是索尼早期研究成果的延續(xù)。畢竟索尼早在2011年就公布了小容量樣品，而美光早前的研發(fā)工作則集中在相變存儲芯片PRAM上，目前的ReRAM產(chǎn)品應(yīng)該是“索尼開發(fā)”和“美光制造”的聯(lián)合成果。