對于下一代存儲技術，人們不僅希望其速度更快、延遲更低，還希望其非易失性，斷電后無數據丟失。在許多后續標準中，MRAM(磁阻隨機存取存儲器)是最有前途的一個，具有上述兩個優點。在日本高科技博覽會上，TDK公司首次展示了由STT-MRAM技術制造的8Mb內存。雖然容量很小，但讀寫性能是閃存的7倍以上。

英特爾、IBM、三星、SK海力士、高通等公司都在投資研發；d，但是日本公司在這個領域也很強。除了東芝，TDK也是重要的參與者。這一次，他們在日本切泰克博覽會上首次展示了MRAM晶圓，并進行實際性能演示。

TDK的MRAM技術是基于STT(自旋轉移力矩)的，這個技術方案以前就有了。然而，TDK正在研究一種新的方法，利用磁荷存儲數據，并通過STT效應命名數據狀態，可以抑制電子在寫入數據時獲得磁場強度的變化。

據PCWORLD報道，TDK還在展會現場對STT MRAM和閃存進行了性能對比。左邊是他們開發的STT MRAM平臺，右邊是NOR閃存，MRAM的性能是NOR閃存的7倍以上。

目前，MRAM技術仍在開發中。TDK已經生產了8英寸的MRMA晶圓(見第一張圖片)，通過其Headway公司進行測試。但是，Headway公司沒有大規模生產的能力，所以TDK需要一個合作伙伴來幫助他們在未來生產MRAM。

在MRAM領域，TDK的主要競爭對手是美國的Everspin公司。兩年前，他們還推出了ST MRAM芯片，其容量為16Mb，讀寫性能驚人。

但是，目前的MRAM技術都是鏡中花，理論上有很好的優勢，但是技術<愛尬聊_讓生活聊出新高度>一點都不成熟，也有固有的缺點，距離實用化還有很長的路要走。