對(duì)于下一代存儲(chǔ)技術(shù)，人們不僅希望其速度更快、延遲更低，還希望其非易失性，斷電后無數(shù)據(jù)丟失。在許多后續(xù)標(biāo)準(zhǔn)中，MRAM(磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是最有前途的一個(gè)，具有上述兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)。在日本高科技博覽會(huì)上，TDK公司首次展示了由STT-MRAM技術(shù)制造的8Mb內(nèi)存。雖然容量很小，但讀寫性能是閃存的7倍以上。

英特爾、IBM、三星、SK海力士、高通等公司都在投資研發(fā)；d，但是日本公司在這個(gè)領(lǐng)域也很強(qiáng)。除了東芝，TDK也是重要的參與者。這一次，他們?cè)谌毡厩刑┛瞬┯[會(huì)上首次展示了MRAM晶圓，并進(jìn)行實(shí)際性能演示。

TDK的MRAM技術(shù)是基于STT(自旋轉(zhuǎn)移力矩)的，這個(gè)技術(shù)方案以前就有了。然而，TDK正在研究一種新的方法，利用磁荷存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并通過STT效應(yīng)命名數(shù)據(jù)狀態(tài)，可以抑制電子在寫入數(shù)據(jù)時(shí)獲得磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化。

據(jù)PCWORLD報(bào)道，TDK還在展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)對(duì)STT MRAM和閃存進(jìn)行了性能對(duì)比。左邊是他們開發(fā)的STT MRAM平臺(tái)，右邊是NOR閃存，MRAM的性能是NOR閃存的7倍以上。

目前，MRAM技術(shù)仍在開發(fā)中。TDK已經(jīng)生產(chǎn)了8英寸的MRMA晶圓(見第一張圖片)，通過其Headway公司進(jìn)行測(cè)試。但是，Headway公司沒有大規(guī)模生產(chǎn)的能力，所以TDK需要一個(gè)合作伙伴來幫助他們?cè)谖磥砩a(chǎn)MRAM。

在MRAM領(lǐng)域，TDK的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手是美國(guó)的Everspin公司。兩年前，他們還推出了ST MRAM芯片，其容量為16Mb，讀寫性能驚人。

但是，目前的MRAM技術(shù)都是鏡中花，理論上有很好的優(yōu)勢(shì)，但是技術(shù)<愛尬聊_讓生活聊出新高度>一點(diǎn)都不成熟，也有固有的缺點(diǎn)，距離實(shí)用化還有很長(zhǎng)的路要走。