1月12日消息，隨著人工智能技術的迅猛發展，市場對于高性能內存的需求日益迫切。為滿足特定應用的需求，三星正積極推出全新的存儲組合產品。

三星目前正在研發一款名為LLW DRAM的新型存儲器，該產品融合了高帶寬、低延遲和低功耗等諸多優勢。據悉，LLW DRAM主要針對需要運行大型語言模型(LLM)的設備進行優化，未來有望廣泛應用于各種客戶端工作負載中。

據本站了解，LLW DRAM在性能方面表現出色，其寬I/O、低延遲的特性使得每個模塊/堆棧能夠提供高達128GB/s的帶寬，這與一個128位DDR5-8000內存子系統的帶寬相當。同時，該產品還具備超低功耗的特性，每比特能耗僅為1.2pJ，但三星方面并未透露在此功耗下的具體數據傳輸速率。

在設計方面，LLW DRAM有望借鑒GDDR6W的設計理念，并采用先進的扇出晶圓級封裝(FOWLP)技術，將多個DRAM芯片集成到一個封裝中，從而實現更高的集成度和更優的性能。

目前，三星已經公布了LLW DRAM的預期性能細節。根據以往經驗判斷，這款產品很可能已經接近尾聲階段，相信不久后將正式與廣大消費者見面。