臺積電深度披露2nm,3nm芯片技術演進[深度披露]?
近日召開了2023年北美技術研討會。臺積電也在北美技術研討會中披露了集團有可能在2025年到2026年期間或者以后的時間去推出N2 2nm生產節點計劃的更多信息,臺積電的N2系列制造技術也隨著科技不斷發展將會擴展到其他變化。
臺積電在2022年推出的初始N2制造工藝也成為了代工廠第1個能夠使用GAAFET晶體管的一個節點,臺積電也將這個晶體管稱為納米片晶體管。GAAFET晶體管和之前的FinFET晶體管相比較起來GAAFET晶體管擁有更大的優勢,包括能夠擁有更低的漏電流,因為GAAFET晶體管通道的4個<愛尬聊_百科知識>側面都存在著閘機能夠更好的去調整通道寬度能夠獲得更高的性能,同時還能夠產生更低的功耗。
臺積電在2022年推出這一項最新技術時候,就表示在相同的功率以及復雜性能之下,這項最新技術能夠讓晶體管的性能提高15%左右,或者是在使用相同的晶體管數量或者是相同的時鐘下功耗將會降低最高到30%。