鎧俠與閃迪攜手，近日正式揭曉了雙方聯(lián)合研發(fā)的第十代BiCS 3D NAND閃存技術(shù)，此技術(shù)在堆疊層數(shù)、存儲密度以及接口速率上均實現(xiàn)了前所未有的突破。

在這項創(chuàng)新技術(shù)中，鎧俠采用了CBA雙晶圓鍵合工藝，分別獨立制造CMOS控制電路與NAND存儲陣列，隨后將它們精密鍵合。這一做法與長江存儲的Xtacking晶棧架構(gòu)有著異曲同工之妙。

尤為第十代BiCS 3D NAND閃存的堆疊層數(shù)達到了驚人的332層，與第八代的218層相比，增幅高達38%。這一數(shù)字不僅超越了SK海力士的321層、三星的290層、美光的276層，也遠遠甩開了西數(shù)的218層。

隨著堆疊層數(shù)的顯著增加，存儲密度也隨之大幅提升，據(jù)稱提升了59%，達到了每平方毫米36.4Gb的驚人水平。這一數(shù)據(jù)不僅遠超同行，即便是西數(shù)的每平方毫米22.9Gb和SK海力士的每平方毫米20Gb也無法望其項背。

盡管鎧俠尚未透露具體的閃存類型（TLC/QLC）以及單Die容量，但其在性能上的提升已足夠引人注目。新閃存支持Toggle DDR 6.0接口規(guī)范，傳輸速度飆升至4800MT/s，相比前代提升了33%，同樣刷新了行業(yè)記錄，超過了美光和西數(shù)的3600MT/s。

鎧俠在新閃存中還引入了PI-LTT低功耗技術(shù)，使得輸入功耗降低了10%，輸出功耗更是降低了34%。這一技術(shù)的加入，無疑將更好地滿足AI技術(shù)對于低功耗、高性能的嚴苛需求。

鎧俠對于未來的展望同樣雄心勃勃，他們計劃在2027年推出堆疊層數(shù)高達1000層的3D閃存，這無疑將為整個存儲行業(yè)帶來新的革命。