1月25日消息，英特爾今日發布重要公告，稱其已成功實施大規模生產，該生產基于行業前沿的半導體封裝方案，其中尤為引人注目的是英特爾創新的3D封裝技術——Foveros。

據公告披露，這項技術是在英特爾位于美國新墨西哥州的Fab 9工廠最新升級后投入生產的。英特爾執行副總裁兼首席全球運營官Keyvan Esfarjani在聲明中強調：“我們的先進封裝技術為英特爾在競爭中贏得了優勢，助力我們的客戶在芯片性能、尺寸及設計靈活性上取得領先。”

據本站了解，隨著半導體產業邁向在單一封裝內集成多個“芯粒”(Chiplets)的異構集成新時代，英特爾的Foveros技術和EMIB(嵌入式多芯片互連橋接)等先進封裝技術，被業界認為有望在單一封裝中集成高達一萬億個晶體管，這將對2030年后的摩爾定律發展產生深遠影響。

英特爾的3D封裝技術Foveros的特點在于，它能在處理器制造過程中以垂直方式堆疊計算模塊，而非傳統的水平方式。此外，Foveros技術使得英特爾及其代工合作伙伴能夠靈活地集成不同的計算芯片，從而在成本和能效方面實現優化。

此前，英特爾已明確表示，他們計劃在2025年之前將3D Foveros封裝的產能提升四倍，以滿足日益增長的市場需求。