1月17日消息，近日蘋果的一項硬件升級決策引發了業界和消費者的熱議。據悉，蘋果在其即將推出的iPhone 16系列中，可能會采用速度相對較慢的四層單元(QLC)NAND閃存，替代傳統的三層單元(TLC)NAND閃存，特別是在存儲容量達到或超過1TB的機型上。

這一變化主要源于QLC閃存的技術特性。QLC閃存相較于TLC閃存，其每個存儲單元可以存儲更多的數據位，從而在相同數量的存儲單元下實現更大的存儲容量，或者在達到相同存儲容量時使用更少的存儲單元。這種技術有助于蘋果降低生產成本，提高存儲空間的利用效率。

然而，據本站了解，QLC閃存也存在一些潛在的缺點。由于其每個存儲單元需要處理更多的數據位，因此其寫入數據的耐久性可能會降低，同時讀取數據時也可能因為電荷量的增加而更容易受到噪聲干擾，導致位錯誤率上升。這意味著，如果蘋果真的在iPhone 16系列中采用QLC閃存，那么部分高容量版本的用戶可能會遇到數據寫入速度較慢的問題。

對于蘋果的這一決策，市場和消費者反應不一。有些人認為這是蘋果在追求更高利潤和更低成本之間做出的妥協，而另一些人則擔心這可能會對iPhone 16系列的性能和用戶體驗產生負面影響。無論如何，這一切都還有待新款iPhone的正式發布和市場檢驗。