1月30日消息，三星近日透露，他們正在積極研發下一代V9 QLC閃存技術，該技術將實現高達280層的堆疊，預計在年內正式問世。這一技術的革新將帶來存儲容量和性能的顯著躍升。

據悉，三星V9 QLC閃存技術的存儲密度將達到驚人的每平方毫米28.5Gb，相較于當前市場上領先的長江存儲232層QLC技術的20.62Gb，提升了高達36%。與此同時，其他競爭對手的QLC方案在存儲密度方面更是相形見絀，如美光的232層方案為19.5Gb，SK海力士的176層方案為14.4Gb，以及西數/鎧俠的162層方案為13.86Gb。這一顯著優勢意味著，基于V9 QLC技術的SSD在理論上將能夠實現單面8TB、雙面16TB的超高容量，當然，最終產品的容量大小還需根據市場需求進行調整。

在性能方面，三星V9 QLC閃存技術同樣表現出色。據本站了解，其最大傳輸率可達到3200MT/s，相較于目前市場上最高的2400MT/s，提升了一個檔次。這一性能表現甚至能夠滿足未來PCIe 6.0方案的需求，展現出強大的前瞻性。然而，QLC方案在實際應用中往往依賴于pSLC緩沖技術，需要將部分容量用作緩存，因此其實際性能表現仍有待觀察。盡管如此，隨著TLC技術的潛力逐漸耗盡，QLC已經成為市場上的主流選擇。各家廠商紛紛轉向QLC技術，三星自2022年起也將主要精力投入到了QLC技術的研發之中。